Introduction of the structure, modeling and analysis of junctionless heterostructure Si/Si1-xGex transistor

In Junctionless transistors, the source-channel-drain doping is of the same type and level, hence, the process of making Junctionless transistors is easier than inverting mode transistor. Despite this benefit, reducing the transconductance of Junctionless transistors due to reduced carrier velocity...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	reyhaneh ejlali, saeed haji-nasiri, alireza Kashaniniya, Arash Dana
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Persa
منشور في:	Semnan University 2023-03-01
سلاسل:	مجله مدل سازی در مهندسی
الموضوعات:	junctionless transistors hetrostructure si/si1-xgex radio frequency high frequency noise transconductance cutoff frequency
الوصول للمادة أونلاين:	https://modelling.semnan.ac.ir/article_7287_391cc383bb1f82e8396b1db815d3a06e.pdf
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!