Effects of High-Temperature Growth of Dislocation Filter Layers in GaAs-on-Si
Abstract GaAs-on-Si templates with two different dislocation filter layers (DFLs) were grown at 550 °C low-temperature (LT)-DFL and 660 °C high-temperature (HT)-DFL using metal organic vapor-phase epitaxy and the effects of the growth temperature were studied. The threading dislocation density (TDD)...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
SpringerOpen
2022-12-01
|
| தொடர்: | Nanoscale Research Letters |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.1186/s11671-022-03762-9 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|