Correlation between Electronic Structure, Microstructure, and Switching Mode in Valence Change Mechanism Al2O3/TiOx‐Based Memristive Devices

Abstract Memristive devices with valence change mechanism (VCM) show promise for neuromorphic data processing, although emulation of synaptic behavior with analog weight updates remains a challenge. Standard filamentary and area‐dependent resistive switching exhibit characteristic differences in the...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Stephan Aussen, Felix Cüppers, Carsten Funck, Janghyun Jo, Stephan Werner, Christoph Pratsch, Stephan Menzel, Regina Dittmann, Rafal Dunin‐Borkowski, Rainer Waser, Susanne Hoffmann‐Eifert
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Wiley-VCH 2023-12-01
Seria:	Advanced Electronic Materials
Hasła przedmiotowe:	analog digital electron energy loss spectroscopy electronic conduction mechanism memristors ReRAM
Dostęp online:	https://doi.org/10.1002/aelm.202300520
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!