A Ferroelectric Thin Film Transistor Based on Annealing-Free HfZrO Film

A ferroelectric thin film transistor (Fe-TFT) based on annealing-free hafnium zirconium oxide (HfZrO) is demonstrated in this paper. Indium zinc oxide was used as channel semiconductor. The as-deposited 30-nm HfZrO film implemented as gate dielectric was proved to be crystallized with a mixture of m...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Yuxing Li, Renrong Liang, Jiabin Wang, Ying Zhang, He Tian, Houfang Liu, Songlin Li, Weiquan Mao, Yu Pang, Yutao Li, Yi Yang, Tian-Ling Ren
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	IEEE 2017-01-01
Շարք:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Խորագրեր:	Ferroelectric thin film transistor HfZrO annealing free
Առցանց հասանելիություն:	https://ieeexplore.ieee.org/document/7993018/
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!