Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing
<p>Abstract</p><p>We demonstrate multiple wavelength InGaAs quantum dot lasers using ion implantation induced intermixing. Proton implantation, followed by annealing is used to create differential interdiffusion in the active region of the devices. The characteristics (lasing-spectra, threshold curr...
Kaydedildi:
| Asıl Yazarlar: | , , , , , |
|---|---|
| Materyal Türü: | Artigo |
| Dil: | Inglês |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
SpringerOpen
2007-01-01
|
| Seri Bilgileri: | Nanoscale Research Letters |
| Konular: | |
| Online Erişim: | http://dx.doi.org/10.1007/s11671-007-9097-x |
| Etiketler: |
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
