Bipolar and Complementary Resistive Switching Characteristics and Neuromorphic System Simulation in a Pt/ZnO/TiN Synaptic Device

In this work, a ZnO-based resistive switching memory device is characterized by using simplified electrical conduction models. The conventional bipolar resistive switching and complementary resistive switching modes are accomplished by tuning the bias voltage condition. The material and chemical inf...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Sobia Ali Khan, Geun Ho Lee, Chandreswar Mahata, Muhammad Ismail, Hyungjin Kim, Sungjun Kim
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	MDPI AG 2021-01-01
Loạt:	Nanomaterials
Những chủ đề:	resistive switching memristor synaptic device neural network simulation X-ray photoelectron spectroscopy neuromorphic system
Truy cập trực tuyến:	https://www.mdpi.com/2079-4991/11/2/315
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!