QR код

Development of All-Around SiO2/Al2O3 Gate, Suspended Silicon Nanowire Chemical Field Effect Transistors Si-nw-ChemFET

We present a sensor platform associated to silicon-nanowire chemical field effect transistors (Si-nw-ChemFET). Innovations concern the use of networks of suspended silicon N+/P/N+ nanowires as conducting channel, the realization by thermal oxidation and Atomic-Layer Deposition (ALD) of a SiO2/Al2O3...

Повний опис

Збережено в:
Автори: Ahmet Lale, Auriane Grappin, Laurent Mazenq, David Bourrier, Aurélie Lecestre, Jérôme Launay, Pierre Temple-Boyer
Формат: Artigo
Мова:Inglês
Опубліковано: MDPI AG 2017-08-01
Серія:Proceedings
Предмети:
ChemFET
finFET
MOSFET
ISFET
silicon nanowire
biosensor
potentiometric sensor
nanosensor
microsensor
pH measurement
microfluidics
gate all-around
Онлайн доступ:https://www.mdpi.com/2504-3900/1/4/419
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси