Development of All-Around SiO2/Al2O3 Gate, Suspended Silicon Nanowire Chemical Field Effect Transistors Si-nw-ChemFET

We present a sensor platform associated to silicon-nanowire chemical field effect transistors (Si-nw-ChemFET). Innovations concern the use of networks of suspended silicon N+/P/N+ nanowires as conducting channel, the realization by thermal oxidation and Atomic-Layer Deposition (ALD) of a SiO2/Al2O3...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Ahmet Lale, Auriane Grappin, Laurent Mazenq, David Bourrier, Aurélie Lecestre, Jérôme Launay, Pierre Temple-Boyer
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2017-08-01
தொடர்:	Proceedings
பொருள்கள்:	ChemFET finFET MOSFET ISFET silicon nanowire biosensor potentiometric sensor nanosensor microsensor pH measurement microfluidics gate all-around
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2504-3900/1/4/419
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

Development of All-Around SiO2/Al2O3 Gate, Suspended Silicon Nanowire Chemical Field Effect Transistors Si-nw-ChemFET

ஒத்த வளங்கள்