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An influence of polyHEMA gate layer on properties of ChemFETs

A complex deposition procedure of the hydrogel layer of modified poly(2-hydroxyethyl methacrylate) (polyHEMA) covalently linked to the silicon nitride surface and covering only the gate area of the ISFET, was optimized for photolithographic technology, using standard silicon wafers of 3†diamete...

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Principais autores: Wladyslaw Torbicz, Jerzy Kruk, Alfred Krzyskow, Dorota G. Pijanowska, Marek Dawgul
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2003-06-01
coleção:Sensors
Assuntos:
Ion-sensitive field-effect transistor(ISFET)
Poly(2-hydroxyethyl methacrylate)
hydrogel buffering layer
Photolithography
Acesso em linha:http://www.mdpi.com/1424-8220/3/6/146/
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