Recovery of drain-induced threshold voltage shift by positive gate bias in GaN power HEMTs with p-GaN gate

We demonstrate that exposure to positive gate bias can favor a fast recovery of the threshold voltage variation induced by off-state stress, in p-GaN gate high electron mobility transistors. Two process splits were investigated, having different Schottky barriers at the metal/p-GaN junction. Results...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	D. Favero, C. De Santi, A. Nardo, A. Dixit, P. Vanmeerbeek, A. Stockman, M. Tack, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	IOP Publishing 2024-01-01
தொடர்:	Applied Physics Express
பொருள்கள்:	p-GaN gate HEMTs threshold voltage instabilities gate leakage current Schottky barrier height hole injection
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad7f20
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

Recovery of drain-induced threshold voltage shift by positive gate bias in GaN power HEMTs with p-GaN gate

ஒத்த வளங்கள்