Peculiarity of plasmachemical etching of silicon plate edges of photoelectric converters

Results of technological researches of plasmachemical reactor (PCR) for etching of silicon plate edges of photo-electric converters are described. Dependences of silicon etching speed on a discharge current, magnetic field intensity, quantity of the process able surface area and gases composition ar...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Κύριοι συγγραφείς:	O. A. Fedorovich, M. P. Kruglenko, B. P. Polozov
Μορφή:	Artigo
Γλώσσα:	Inglês
Έκδοση:	Politekhperiodika 2009-12-01
Σειρά:	Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Θέματα:	plasma-chemical reactor plasma-chemical etching monosilicon etching rate discharge current photovoltaic cells
Διαθέσιμο Online:	https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/626
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!