A Novel Nitrogen Ion Implantation Technique for Turning Thin Film “Normally On” AlGaN/GaN Transistor into “Normally Off” Using TCAD Simulation

This study presents an innovative, low-cost, mass-manufacturable ion implantation technique for converting thin film normally on AlGaN/GaN devices into normally off ones. Through TCAD (Technology Computer-Aided Design) simulations, we converted a calibrated normally on transistor into a normally off...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Gene Sheu, Yu-Lin Song, Dupati Susmitha, Kutagulla Issac, Ramyasri Mogarala
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2021-11-01
سلاسل:	Membranes
الموضوعات:	TCAD normally off Nitrogen ion implantation positive temperature coefficient
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2077-0375/11/11/899
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!