An ASM-HEMT for Large-Signal Modeling of GaN HEMTs in High-Temperature Applications

This paper reports a temperature-dependent ASM-HEMT for modeling GaN HEMTs at elevated temperatures. Modifications to the standard ASM-HEMT were developed to accurately capture the DC and RF measurements collected at varying chuck temperatures. Several results are reported which validate the model i...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Nicholas C. Miller, Alexis Brown, Michael Elliott, Ryan Gilbert, Devin T. Davis, Ahmad E. Islam, Dennis Walker, Gary Hughes, Kyle Liddy, Kelson D. Chabak
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	IEEE 2023-01-01
Seria:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Hasła przedmiotowe:	Gallium nitride high electron mobility transistor high temperature ASM-HEMT load pull
Dostęp online:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10268042/
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!