Enhanced Low-Damage Quantitative Hybrid Cyclic Etching for AlGaN/GaN Heteroepitaxy: Process Optimization and Device Performance Improvement

The etching process is pivotal in the fabrication of GaN-based devices, directly influencing their performance. This study presents an enhanced low-damage hybrid cyclic etching technology for AlGaN/GaN heteroepitaxy structures, combining oxygen plasma oxidation with HCl etching to achieve atomic-sca...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Guiyu Shen, Yulong Fang, He Guan, Zeyuan Yu, Yongchuan Tang, Ying Wang
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	IEEE 2025-01-01
سلاسل:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
الموضوعات:	AlGaN/GaN heterogeneous epitaxy etching AlGaN/GaN HEMT hybrid cyclic etching ohmic contact
الوصول للمادة أونلاين:	https://ieeexplore.ieee.org/document/11250627/
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!