An Overview about Si, Superjunction, SiC and GaN Power MOSFET Technologies in Power Electronics Applications

This work presents a comparative analysis among four power MOSFET technologies: conventional Silicon (Si), Superjunction (SJ), Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), indicating the voltage, current and frequency ranges of the best performance for each technology. For this, a database with...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Edemar O. Prado, Pedro C. Bolsi, Hamiltom C. Sartori, José R. Pinheiro
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2022-07-01
Edice:	Energies
Témata:	comparative analysis GaN power MOSFET power electronics SiC
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/1996-1073/15/14/5244
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!