All III‐arsenide low threshold InAs quantum dot lasers on InP(001)
Abstract This study investigates the development of InAs quantum dot (QD) lasers on a InP(001) substrate, utilizing only III‐arsenide layers. This approach avoids the issues associated with the use of phosphorus compounds, which are evident in the crystal growth of conventional C/L‐band QD lasers, m...
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| Principais autores: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Wiley
2023-08-01
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| coleção: | Electronics Letters |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1049/ell2.12920 |
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