QR код

High Temperature Operation of Co-Doped InAs Quantum Dot Laser for O-Band Emission

We demonstrate high temperature operation of InAs quantum dot lasers through active region engineering. We grew an n-doped region within the InAs quantum dot (QD) layer and incorporated a 10 nm p-GaAs modulation-doped layer within a 43 nm GaAs spacer layer, both of which are essential components of...

Повний опис

Збережено в:
Автори: Pawan Mishra, Lydia Jarvis, Chris Hodges, Abigail Enderson, Fwoziah Albeladi, Sara-Jayne Gillgrass, George M. Jandu, Richard Forrest, Craig P. Allford, Huiwen Deng, Mingchu Tang, Huiyun Liu, Samuel Shutts, Peter M. Smowton
Формат: Artigo
Мова:Inglês
Опубліковано: IEEE 2025-01-01
Серія:IEEE Photonics Journal
Предмети:
Co-doping
high temperature
InAs quantum dots
p-modulation
semiconductor laser
Онлайн доступ:https://ieeexplore.ieee.org/document/10964309/
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси