LDMOS Drift Region With Field Oxides: Figure-of-Merit Derivation and Verification

We analytically and numerically investigate the performance of Laterally-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor (LDMOS) transistors with Semi-circular Field OXide (S-FOX) focusing on mid-voltage (30 V – 100 V) power applications. We derive an analytical relation between breakdown voltage and on-r...

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Detalhes bibliográficos

Principais autores:	Ali Saadat, Maarten L. Van de Put, Hal Edwards, William G. Vandenberghe
Formato:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicado em:	IEEE 2022-01-01
Colecção:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Assuntos:	Analytical study breakdown voltage drift region figure-of-merit LDMOS on-resistance
Acesso em linha:	https://ieeexplore.ieee.org/document/9761987/
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