Enhancing Design Stability and Flexibility in Partial Isolation Type LDMOS

This study comprehensively analyzes the performance variation mechanisms in partial isolation type laterally double-diffused metal-oxide-semiconductor (Pi-LDMOS) field-effect transistors. The concept of the ’silicon gap’ in this study refers to the space between the drift region and th...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Shinwook Kim, Dongyeong Kim, Suyeon Kim, Je Won Park, Hyerin Lee, Hyeona Seo, Sowon Kim, Chaehyuk Lim, Jeonghyeon Yun, Juwon Lee, Sokhee P. Jung, Myoung Jin Lee
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	IEEE 2025-01-01
Շարք:	IEEE Access
Խորագրեր:	Breakdown voltage (BV) figure of merit (FOM) partial insulator (Pi) lateral double-diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) silicon gap
Առցանց հասանելիություն:	https://ieeexplore.ieee.org/document/10908852/
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!