Analyses and Experiments of Ultralow Specific On-Resistance LDMOS With Integrated Diodes
An ultralow specific on-resistance (<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${R} _{\mathrm{ on,sp}}$ </tex-math></inline-formula>) accumulation-mode LDMOS (ALDMOS) is proposed and investigated by simulations and experiments. The proposed ALDMOS features two separated integrated diodes (SID) abov...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
IEEE
2021-01-01
|
| Σειρά: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9546941/ |
| Ετικέτες: |
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|