কিউআর কোড

Enhancing Design Stability and Flexibility in Partial Isolation Type LDMOS

This study comprehensively analyzes the performance variation mechanisms in partial isolation type laterally double-diffused metal-oxide-semiconductor (Pi-LDMOS) field-effect transistors. The concept of the ’silicon gap’ in this study refers to the space between the drift region and th...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: Shinwook Kim, Dongyeong Kim, Suyeon Kim, Je Won Park, Hyerin Lee, Hyeona Seo, Sowon Kim, Chaehyuk Lim, Jeonghyeon Yun, Juwon Lee, Sokhee P. Jung, Myoung Jin Lee
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: IEEE 2025-01-01
মালা:IEEE Access
বিষয়গুলি:
Breakdown voltage (BV)
figure of merit (FOM)
partial insulator (Pi)
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS)
silicon gap
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ieeexplore.ieee.org/document/10908852/
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি