One-Step Synergistic Treatment Approach for High Performance Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Fabricated at Room Temperature

Amorphous InGaZnO (a-InGaZnO) is currently the most prominent oxide semiconductor complement to low-temperature polysilicon for thin-film transistor (TFT) applications in next-generation displays. However, balancing the transmission performance and low-temperature deposition is the primary obstacle...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Chunlan Wang, Yuqing Li, Yebo Jin, Gangying Guo, Yongle Song, Hao Huang, Han He, Aolin Wang
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	MDPI AG 2022-10-01
Loạt:	Nanomaterials
Những chủ đề:	a-InGaZnO TFTs oxygen plasma electrical properties
Truy cập trực tuyến:	https://www.mdpi.com/2079-4991/12/19/3481
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!