One-Step Synergistic Treatment Approach for High Performance Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Fabricated at Room Temperature

Amorphous InGaZnO (a-InGaZnO) is currently the most prominent oxide semiconductor complement to low-temperature polysilicon for thin-film transistor (TFT) applications in next-generation displays. However, balancing the transmission performance and low-temperature deposition is the primary obstacle...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Chunlan Wang, Yuqing Li, Yebo Jin, Gangying Guo, Yongle Song, Hao Huang, Han He, Aolin Wang
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2022-10-01
سلاسل:	Nanomaterials
الموضوعات:	a-InGaZnO TFTs oxygen plasma electrical properties
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2079-4991/12/19/3481
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!