QR குறியீடு

New Submicron Low Gate Leakage In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As-In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As pHEMT for Low-Noise Applications

Conventional pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMTs) with lattice-matched InGaAs/InAlAs/InP structures exhibit high mobility and saturation velocity and are hence attractive for the fabrication of three-terminal low-noise and high-frequency devices, which operate at room temperature...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Mohamed Fauzi Packeer Mohamed, Mohamad Faiz Mohamed Omar, Muhammad Firdaus Akbar Jalaludin Khan, Nor Azlin Ghazali, Mohd Hendra Hairi, Shaili Falina, Mohd Syamsul Nasyriq Samsol Baharin
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: MDPI AG 2021-11-01
தொடர்:Micromachines
பொருள்கள்:
2DEG
III-V material
InAlAs
InGaAs
InP
LNA
ஆன்லைன் அணுகல்:https://www.mdpi.com/2072-666X/12/12/1497
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்