Citações do registro
Citação APA (7ª ed.)
Mohamed, M. F. P., Omar, M. F. M., Khan, M. F. A. J., Ghazali, N. A., Hairi, M. H., Falina, S., & Baharin, M. S. N. S. (2021). New Submicron Low Gate Leakage In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As-In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As pHEMT for Low-Noise Applications. MDPI AG.
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Citação do estilo Chicago (17ª ed.)
Mohamed, Mohamed Fauzi Packeer, Mohamad Faiz Mohamed Omar, Muhammad Firdaus Akbar Jalaludin Khan, Nor Azlin Ghazali, Mohd Hendra Hairi, Shaili Falina, e Mohd Syamsul Nasyriq Samsol Baharin. New Submicron Low Gate Leakage In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As-In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As PHEMT for Low-Noise Applications. MDPI AG, 2021.
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Citação MLA (9ª ed.)
Mohamed, Mohamed Fauzi Packeer, et al. New Submicron Low Gate Leakage In<sub>0.52</sub>Al<sub>0.48</sub>As-In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As PHEMT for Low-Noise Applications. MDPI AG, 2021.
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