Giant Nonlinear Hall Effect Induced Ultrahigh Rectification in a Weyl Semiconductor

Abstract Conventional diode‐based rectifiers suffer from limited applicability in low‐power electronics and high‐frequency wireless networks due to their inherent junction structures. Recent studies have demonstrated that the nonlinear Hall effect (NHE) in non‐centrosymmetric quantum materials can e...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রধান লেখক:	Hao Liu, Ting Yong Lim, Shijia Tian, Jinfeng Zhai, Du Xiang, Tao Liu, Tay‐Rong Chang, Pan He, Jian Shen
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	Wiley-VCH 2025-05-01
মালা:	Advanced Electronic Materials
বিষয়গুলি:	Berry curvature dipole nonlinear Hall effect rectification effect voltage responsivity Weyl semiconductor
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://doi.org/10.1002/aelm.202400648
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!