Electrical Properties and Thermal Annealing Effects of Polycrystalline MoS₂-MoS_X Nanowalls Grown by Sputtering Deposition Method

Straightforward growth of nanostructured low-bandgap materials is a key issue in mass production for electronic device applications. We report here facile nanowall growth of MoS₂-MoS_X using sputter deposition and investigate the electronic properties of the nanowalls. MoS<sub>2...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Doo-Seung Um, Mi-Jin Jin, Jong-Chang Woo, Dong-Pyo Kim, Jungmin Park, Younghun Jo, Gwan-Ha Kim
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	MDPI AG 2021-03-01
Seria:	Crystals
Hasła przedmiotowe:	MoS<sub>2</sub> nanowall crystal growth sputter deposition MoS<sub>2</sub> polycrystal characterization
Dostęp online:	https://www.mdpi.com/2073-4352/11/4/351
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!