Performance Analysis of L-Shaped Cladding Layer-Based Dopingless TFET Including Interface Trap Charges and Temperatures

This work investigates the impact of temperature variation and interface trap charges (ITCs) on the DC, RF/analog, and linearity performance of an L-shaped cladding layer-based dopingless TFET (LCD-TFET) using TCAD simulations. Key parameters including band-to-band tunneling (BTBT) rate, transconduc...

Πλήρης περιγραφή

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής

Κύριοι συγγραφείς:	S. Shabareeshan, Srinidhi Balakrishnan, Shanidul Hoque, Rajesh Saha
Μορφή:	Artigo
Γλώσσα:	Inglês
Έκδοση:	IEEE 2026-01-01
Σειρά:	IEEE Access
Θέματα:	Band-to-band tunneling dopingless interface traps non-linearity subthreshold swing TFET
Διαθέσιμο Online:	https://ieeexplore.ieee.org/document/11450363/
Ετικέτες:	Προσθήκη ετικέτας Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!