Intense Red Catho- and Photoluminescence from 200 nm Thick Samarium Doped Amorphous AlN Thin Films
<p>Abstract</p> <p>Samarium (Sm) doped aluminum nitride (AlN) thin films are deposited on silicon (100) substrates at 77 K by rf magnetron sputtering method. Thick films of 200 nm are grown at 100–200 watts RF power and 5–8 m Torr nitrogen, using a metal target of Al with Sm. X-ray diffr...
Збережено в:
| Автори: | , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
SpringerOpen
2009-01-01
|
| Серія: | Nanoscale Research Letters |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://dx.doi.org/10.1007/s11671-009-9309-7 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|