High figure-of-merit SOI power LDMOS for power integrated circuits
The structural modifications in the conventional power laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (LDMOS) are carried out to improve the breakdown voltage, on-resistance, gate-charge and figure-of-merits of the device with reduced cell pitch. The modified device has planer...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
Elsevier
2015-06-01
|
| Շարք: | Engineering Science and Technology, an International Journal |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2215098614000895 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|