Investigation of SiC MOSFET Body Diode Reverse Recovery and Snappy Recovery Conditions

This paper investigates the behavior of SiC MOSFETs body diode reverse recovery as a function of different operating conditions. The knowledge of their effects is crucial to properly designing and driving power converters based on SiC devices, in order to optimize the MOSFETs commutations aiming at...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Giuseppe Pennisi, Mario Pulvirenti, Luciano Salvo, Angelo Giuseppe Sciacca, Salvatore Cascino, Antonio Laudani, Nunzio Salerno, Santi Agatino Rizzo
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2024-05-01
سلاسل:	Energies
الموضوعات:	body diode MOSFET switching power electronics power electronics devices reverse recovery SiC MOSFETs
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/1996-1073/17/11/2651
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!