Načítá se...

Electronic transitions in single and double quantum wells made of III–V compound semiconductors

In this work, we calculate the electronic inter-band transitions in low dimensional nanostructures employing the effective mass approximation. With the help of the well-known models of square quantum well (SQW) and the symmetric square double quantum well (DQW), we calculate the energy levels in nan...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Superficies y vacío
Hlavní autoři: A. Velásquez-Arriaga, J. Hernández-Rosas, H. Ponce, M. López-López
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
Témata:
MBE
On-line přístup:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94229972002
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!