QR kód

Optical characterization of Te-doped GaxIn1-xAsySb1-y epitaxial layers grown by liquid phase epitaxy

A set of GaxIn1-xAsySb1-y quaternary layers were grown on (100) GaSb substrates using the liquid phase epitaxy technique (LPE). These layers were doped with tellurium and were characterized by Raman, Photoluminescence (PL) spectroscopy, and Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS). Several optical mod...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Superficies y vacío
Hlavní autoři: Y. E. Bravo-García, M. Zapata-Torres, P. Rodríguez-Fragoso, J.G. Mendoza-Alvarez, J. L. Herrera-Pérez, J. A. Cardona- Bedoya, M. L. Gómez-Herrera
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2012
Témata:
On-line přístup:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94224555006
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!