Characterization of optical and structural properties of GaAsN layers grown by Molecular Beam Epitaxy

GaAsN layers were grown on GaAs(100) substrates by MBE employing a radio frequency (RF) plasma nitrogen source, and solid sources for Ga and As. The growth temperature was varied from 420 to 600 °C, and the GaAsN growth mode was in-situ monitored by reflection high-energy electron diffraction (RHEED...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন

প্রকাশিত:	Superficies y vacío
প্রধান লেখক:	A. Pulzara-Mora, E. Cruz-Hernández, J. Rojas-Ramirez, R. Contreras-Guerrero, M. A. Aguilar-Frutis, M. Meléndez-Lira, C. Falcony-Guajardo, M. López-López, M. A. Vidal
বিন্যাস:	Artigo
ভাষা:	Inglês
প্রকাশিত:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2005
বিষয়গুলি:	Física, Astronomía y Matemáticas
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94218307
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!