Depósito de películas delgadas de SiO2 obtenidas por foto-CVD
Usando la técnica de depósito fotoquímico en fase vapor (Foto-CVD) se obtuvieron velocidades menores que 0.56nm/min para el depósito de películas de SiO2, las cuales son adecuadas para el crecimiento de capas delgadas yultradelgadas de SiO2. Se seleccionó al SiH4 como fuente de silicio y al N2O como...
Tallennettuna:
| Julkaisussa: | Superficies y vacío |
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| Päätekijät: | , , |
| Aineistotyyppi: | Artigo |
| Kieli: | Espanhol |
| Julkaistu: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2003
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| Aiheet: | |
| Linkit: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216210 |
| Tagit: |
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