Depósito de películas delgadas de SiO2 obtenidas por foto-CVD

Usando la técnica de depósito fotoquímico en fase vapor (Foto-CVD) se obtuvieron velocidades menores que 0.56nm/min para el depósito de películas de SiO2, las cuales son adecuadas para el crecimiento de capas delgadas yultradelgadas de SiO2. Se seleccionó al SiH4 como fuente de silicio y al N2O como...

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Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Superficies y vacío
Hlavní autoři:	J.E. Munguia, V.M. Sánchez R., M. Estrada
Médium:	Artigo
Jazyk:	Espanhol
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2003
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216210
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!