Estudio y modelado de la interfase Si-SiO2, usando estructuras MOS

A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO2) de estructuras metalóxido- semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de...

ver descrição completa

Detalhes bibliográficos

Publicado no:	Superficies y vacío
Principais autores:	M. Pacio H. Juárez, T. Díaz, G. Garcia, E. Rosendo, F. Mora, G. Escalante, M. Rodriguez
Formato:	Artigo
Idioma:	Espanhol
Publicado em:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2009
Assuntos:	Física, Astronomía y Matemáticas
Acesso em linha:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94213119003
Tags:	Adicionar Tag Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!