Estudio y modelado de la interfase Si-SiO2, usando estructuras MOS

A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO2) de estructuras metalóxido- semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de...

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Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Superficies y vacío
Hlavní autoři:	M. Pacio H. Juárez, T. Díaz, G. Garcia, E. Rosendo, F. Mora, G. Escalante, M. Rodriguez
Médium:	Artigo
Jazyk:	Espanhol
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2009
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94213119003
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!