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Influence of Si(110) misoriented substrates on the microstructure and photoreflectance of GaAs thin films deposited by MBE

We have grown GaAs layers by molecular beam epitaxy on Si(110) substrates with different tilted angles towards the[001] direction. The samples where characterized by atomic force microscopy (AFM), high resolution x-ray diffraction(HRXRD), and photoreflectance spectroscopy (PR). The surface morpholog...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Superficies y vacío
Main Authors: M. A. Vidal, J. Luyo Alvarado, M. López López, M. Meléndez Lira
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2000
Assuntos:
MBE
Ray
Acesso em linha:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201009
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