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Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge quantum dots on Si
Pure Ge epitaxially grown on Si (100) at high temperatures forms typically 100 nm lateral size islands on top of a 3-4 monolayer thick wetting layer. In stacked layers of Ge dots pronounced vertical alignment is observed if the thickness of the Si spacer layers is smaller than about 50 nm. Pregrowth...
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| Publicado no: | Superficies y vacío |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
1999
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| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94200902 |
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