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The binding energy of donor impurities in GaAs quantum dots under the pressure effect

Calculations of the binding energy of an on-center and off-center shallow hydrogenic impurity in a GaAs quantum dot under hydrostaticpressure are presented. The variational approach within the effective mass approximation is used as the framework for this calculation. Theeffect of the pressure is to...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Revista Mexicana de Física
Main Authors: S.T. Pérez-Merchancano, L.E. Bolivar-Marinez, J. Silva-Valencia
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Assuntos:
Acesso em linha:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57053607
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