Fabrication and characterization of ZnO:Zn(n+)/Porous-Silicon/Si(p) heterojunctions for white light emitting diodes
The fabrication and characterization of electroluminescent ZnO:Zn(n+)/Porous Silicon/Si(p) heterojunctions is presented. Highly conductiveZnO films (ZnO:Zn(n+)) were produced by applying a temperature annealing at 400±C by 5 min to the ZnO/Zn/ZnO arrange formed byDC sputtering, and the Porous Silico...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57042601002 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|