Electrical properties of resistive switches based on Ba1-xSr xTiO3 thin films prepared by RF co-sputtering

In this work, we propose the use of Ba1-xSr xTiO3(0 ≤ x ≤ 1) thin films for the construction of MIM (metal-insulator-metal) heterostructures; and their great potential for the development of non-volatile resistance memories (ReRAM) is shown. The deposition of Ba1-xSr xTiO3 thin films was...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Vydáno v:	Revista Mexicana de Física
Hlavní autoři:	A. Márquez-Herrera, E. Hernández-Rodríguez, M.P. Cruz, O. Calzadilla-Amaya, M. Meléndez-Lira, J. Guillén-Rodríguez, M. Zapata-Torres
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2010
Témata:	Física, Astronomía y Matemáticas
On-line přístup:	https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57019827006
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!