Optical and Electrical Properties of Te Doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg Mirrors on InP

We present a comparative study carried out on the optical and electrical characteristics of undoped and Tedoped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors with 6.5 pairs of layers and bulk undoped and Te doped AlGaAsSbepilayers alloys lattice matched on InP, grown by molecular beam epitaxy, using SIMS, photolumi...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Brazilian Journal of Physics
Main Authors: D. O. Toginho Filho, I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, Jean C. Harmand
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Sociedade Brasileira de Física 2006
Assuntos:
Física, Astronomía y Matemáticas
AlGaAs
AlAsSb
Bragg mirror
Semiconductor
Acesso em linha:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436623
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