Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs

Photoluminescence and photoreflectance measurements have been used to determine excitonic transitions inthe ternary AlxGa1−xAs alloy in the temperature range from 2 to 300 K. The effect of the thermal expansioncontribution on the temperature dependence of excitonic transitions for differen...

Descripció completa

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Publicat a:Brazilian Journal of Physics
Autors principals: I. F. L. Dias, J. L. Duarte, E. Laureto, J. R. Leite, S. A. Lourenço, D. O. Toginho Filho, L. C. Poças
Format: Artigo
Idioma:Inglês
Publicat: Sociedade Brasileira de Física 2004
Matèries:
Física, Astronomía y Matemáticas
Accés en línia:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434230
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Ítems similars