Oxygen Ion Implantation in Strontium Bismuth Tantalate Thin Films
Strontium Bismuth Tantalate (SBT) ferroelectric thin films have attracted considerable attention for the developmentof non-volatile ferroelectric random access memories (NV-FRAMs). These films, however, have acritical problem: a high processing temperature (>700oC) is required for the crystallizatio...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedade Brasileira de Física
2006
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436556 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|