Oxygen Ion Implantation in Strontium Bismuth Tantalate Thin Films

Strontium Bismuth Tantalate (SBT) ferroelectric thin films have attracted considerable attention for the developmentof non-volatile ferroelectric random access memories (NV-FRAMs). These films, however, have acritical problem: a high processing temperature (>700oC) is required for the crystalliza...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yayımlandı:Brazilian Journal of Physics
Asıl Yazarlar: B. J. Gómez, O. de Sanctis, L. Rico, M. Stachiotti, N. Pellegri, J. N. Feugeas
Materyal Türü: Artigo
Dil:Inglês
Baskı/Yayın Bilgisi: Sociedade Brasileira de Física 2006
Konular:
Física, Astronomía y Matemáticas
SBT
Thin films
Plasma focus
Ferroelectric
Oxygen implantation
Online Erişim:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46436556
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!

Benzer Materyaller