Titanium Impurities in Silicon, Diamond, and Silicon Carbide
We carried a theoretical investigation on the electronic and structural properties of titanium impurities in silicon,diamond, and silicon carbide. The calculations were performed using the spin-polarized full-potentiallinearized augmented plane wave method in the supercell approach. The atomic confi...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434415 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|