Characterization of Zn-Doped Ga0.86In0.14As0.13Sb0.87
Controlled doping of quaternary alloys of Ga0.86In0.14As0.13Sb0.87 with zinc is fundamental to obtain the p-type layers needed for the development of optoelectronic devices based on p–n heterojunctions. GaInAsSb epitaxial layers were grown by liquid phase epitaxy, and Zn doping was obtained by incor...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Sociedade Brasileira de Física
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46432477015 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|