Ładuje się......
Hall Effect Measurements on p-n-p InP Structures
The electrical properties of p-type layers of indium phosphide (InP), formed by the diffusion of zinc into n-type material, are studied by Hall Effect measurements. A wide range of diffusion conditions are used and both homogeneously doped specimens and those containing a zinc atom concentration gra...
Zapisane w:
| Wydane w: | Brazilian Journal of Physics |
|---|---|
| Główni autorzy: | , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Sociedade Brasileira de Física
2008
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46413551027 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|